美光近期发布一款通过太空认证的 256Gb 单级单元（SLC）NAND 闪存，堪称业内同类型中密度最高的抗辐射产品。
美光新款太空级 SLC NAND 闪存
这款全新存储产品，是美光扩充航天产品线后的首款力作。该产品线未来还将涵盖更多适用于太空任务的 NAND、NOR 及 DRAM 解决方案。凭借此产品，美光成为首家能提供该密度级别太空认证 NAND 的主流存储制造商。
面向航天领域的256Gb SLC NAND
美光这款 256Gb SLC NAND 闪存，专为严苛的轨道部署环境量身打造，集成多项特性以满足极端环境与运行的严苛要求。其采用成熟可靠的工艺节点制造，在实现高容量的同时，具备商用存储产品中罕见的抗辐射性能。
该 NAND 闪存配备 8 位 I/O 总线，可同时支持异步与同步接口。在同步模式下，能达到时序模式 5，时钟周期为 10ns DDR，每引脚数据传输速率高达 2 亿次 / 秒。存储性能参数方面，最大页面读取时间为 35µs，典型页面编程时间为 350µs，典型块擦除时间为 1.5ms。
抗辐射性能通过了美国国家航空航天局（NASA）PEM-INST-001 二级认证流程验证，包括低剂量率下的总电离剂量（TID）测试，以及符合 JEDEC JESD57 和 ASTM F1192 标准的单粒子效应（SEE）测试。美光还验证了该器件在 - 55°C 至 + 125°C 区间历经 20 次温度循环后的热稳定性；而在 85°C 下进行的长期老化测试，进一步保障了其长期运行的稳定性。
该产品采用 100 球有铅 LBGA 封装，尺寸为 12mm×18mm×1.4mm，并运用聚酰亚胺工艺提升封装的结构完整性。
星载NAND 的抗辐射设计
对于太空用存储器件而言，抗辐射能力是不可或缺的核心设计要求。与地球电子设备受大气层保护不同，太空电子设备长期暴露于太阳耀斑和宇宙射线的高能粒子中，这些粒子可能导致材料性能退化、电路功能紊乱。轨道环境中的 NAND 器件主要面临两大挑战：总电离剂量（TID）和单粒子效应（SEE）。
总电离剂量（TID）指电离辐射随时间累积的能量沉积。在闪存中，这会逐渐改变晶体管阈值电压，最终引发读写故障。工程师可通过优化氧化层厚度和掺杂分布（经 MIL-STD-883 TM1019 Condition D 工艺验证），有效缓解总电离剂量的影响。
美光采用的验证测试流程
单粒子效应（SEE）是指高能粒子直接撞击半导体节点引发的效应，可能导致瞬时位翻转（软错误），严重时甚至造成永久性闩锁。SLC 架构在此方面优势显著，其位单元结构更简单，与多级单元相比，单个单元的脆弱性更低。通过单粒子效应特性分析，工程师可精准确定安全工作余量，并针对性地部署纠错方案。
为应对这些挑战，企业需遵循严格的认证流程，模拟轨道辐射环境、验证组件寿命，并为系统级防护策略提供依据。这些流程通常包括热循环测试、动态老化测试，以及长达数月甚至一整年的全面辐射测试。
轨道上的大容量边缘智能应用
美光 256Gb SLC NAND 闪存，在太空存储领域实现重大突破，将抗辐射性能与高数据吞吐量、高密度完美融合。目前，这款 256Gb SLC NAND 已面向航天客户及系统开发商供货。该公司计划在未来一年，持续推出更多通过太空认证的存储与内存解决方案。
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